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RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RA1C030LDT5CL

N° de fab. :

RA1C030LDT5CL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

Fiche technique:

RA1C030LDT5CL Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,421 €	0,42 €
	0,335 €	3,35 €
	0,214 €	21,40 €
	0,162 €	81,00 €
	0,131 €	131,00 €
	0,116 €	580,00 €
	0,096 €	960,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 15000)
	0,095 €	1.425,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WLCSP-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	140 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 200 mV, 7 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	1.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 50 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	15000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RA1C030LD

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Fiche technique

RA1C030LDT5CL Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET WLCSP RA1C030LD

Le MOSFET WLCSP RA1C030LD de ROHM Semiconductor est un MOSFET à canal N conçu avec une faible résistance à l'état passant et un boîtier à haute puissance. Ce composant dispose d'une tension drain-source de 20 V_DSS, d'un courant de drain continu de 3 A et d'une dissipation d'énergie de 1 W. Le MOSFET RA1C030LD offre une tension d'entraînement de 1,8 V, une protection contre les décharges électro-statiques (DES) jusqu'à 200 V (MM) et jusqu'à 2 kV (HBM). Ce MOSFET est adapté aux circuits de commutation, aux applications de batterie à cellule unique et aux applications mobiles. Le MOSFET RA1C030LD est un dispositif sans Pb, sans halogène et conforme à la directive RoHS.