ROHM Semiconductor MOSFET à super-jonction PrestoMOS™ 600 V 4e génération

Les MOSFET à super jonction PrestoMOS™ de 4e génération 600 V de ROHM Semiconductor utilisent une technologie originale brevetée pour accélérer la diode parasite, ce qui permet d'obtenir des caractéristiques de récupération inverse ultra-rapides pour obtenir une faible consommation d'énergie. La conception PrestoMOS permet une réduction de la perte d'énergie d'environ 58 % à des charges légères par rapport aux implémentations d'IGBT. De plus, l'élévation de la tension de référence nécessaire pour allumer le MOSFET empêche l'auto-allumage, qui est l'une des principales causes de perte. La diode parasite intégrée optimisée améliore l'indice de récupération progressive spécifique aux MOSFET à super-jonction, ce qui réduit le bruit pouvant entraîner un dysfonctionnement.

Les MOSFET à super-jonction de 4e génération de 600 V de ROHM Semiconductor sont des composants à canal N disposant d'une faible résistance à l'état passant de 71 mΩ à 114 mΩ, d'un courant de drain continu de 9 A à 77 A et d'un MOSFET 120 V/ns dv/dt. Ces MOSFET sont disponibles en boîtiers TO-220FM-3, TO-220AB-3 et TO-247-3 et disposent d'une large plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 °C à +150 °C.

Caractéristiques

Temps de récupération inverse ultra-rapide (t_rr)
Tension drain-source de 600 V (V_DSS)
Courant de drain continu de 9 A à 77 A (I_D)
Tension grille-source (V_GSS) de -30 V, +30 V
Faible résistance à l'état passant de 71 mΩ à 114 mΩ (R_DS(on))
MOSFET 120 V/ns dv/dt

Commutation rapide
Dissipation de puissance (P_D) de 61 W à 781 W
Plage de température de jonction et de stockage de fonctionnement de -55 ℃ à +150 °C (T_J, T_stg)
Options de boîtier TO-220FM-3, TO-220AB-3 et TO-247-3
Sans plomb et conforme à la directive RoHS