MOSFET à super-jonction PrestoMOS™ 600 V 4e génération

Les MOSFET à super jonction PrestoMOS™ de 4e génération 600 V de ROHM Semiconductor utilisent une technologie originale brevetée pour accélérer la diode parasite, ce qui permet d'obtenir des caractéristiques de récupération inverse ultra-rapides pour obtenir une faible consommation d'énergie. La conception PrestoMOS permet une réduction de la perte d'énergie d'environ 58 % à des charges légères par rapport aux implémentations d'IGBT. De plus, l'élévation de la tension de référence nécessaire pour allumer le MOSFET empêche l'auto-allumage, qui est l'une des principales causes de perte. La diode parasite intégrée optimisée améliore l'indice de récupération progressive spécifique aux MOSFET à super-jonction, ce qui réduit le bruit pouvant entraîner un dysfonctionnement.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 12A N-CH MOSFET
Fiche technique
2.029En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Fiche technique
1.959En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 114 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 650V 39A N-CH MOSFET
Fiche technique
5.000En stock
Min. : 2.500
Mult. : 2.500
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 10A N-CH MOSFET
Fiche technique
1.963En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 39A N-CH MOSFET
Fiche technique
1.904En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 42A N-CH MOSFET
Fiche technique
2.025En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 165A N-CH MOSFET
Fiche technique
1.153En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 231A N-CH MOSFET
Fiche technique
1.190En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 165A N-CH MOSFET
Fiche technique
2.042En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO3P 650V 165A N-CH MOSFET
Fiche technique
567En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 99 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Fiche technique
2.003En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Fiche technique
1.969En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
Fiche technique
720En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 51 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Fiche technique
1.00009/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Tube