Nouveauté Transistors RF
Ampleon BLF981/BLF981S Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor (LDMOS) Power Transistors are 170W devices designed for high-efficiency broadband applications across a wide frequency range from HF to 1400MHz. These transistors are particularly well-suited for use in broadcast transmitters, industrial, scientific, medical (ISM), avionics, and other non-cellular communication systems. Built to withstand extreme operating conditions, the Ampleon BLF981/BLF981S offers excellent ruggedness, high power gain, and integrated dual-sided ESD protection. The devices are optimized for both analog and digital signal transmission, ensuring reliable performance and easy power control. The BLF981 is housed in a SOT467C package, while the BLF981S comes in a SOT467B package, both supporting robust thermal management and long-term reliability.
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Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power TransistorsDesigned for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.15.05.2025
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Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.15.05.2025 -
Mini-Circuits TAV1 TransistorsDesigned with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package.01.12.2023 -
CEL Low Noise FETs & ICsDeliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.09.07.2023 -
Nexperia Produits de boîtiers à montage en surface SOT23Contenus dans un boîtier plastique à montage en surface, trois bornes, pas de 1,9 mm, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.26.07.2022 -
Nexperia Produits de boîtiers à montage en surface SOT323Un boîtier en plastique à 3 fils, pas de 1,3 mm, 2 mm x 1,25 mm x 0,95 mm pour montage en surface.26.07.2022 -
Qorvo Phemt GaAs discret 1 600 µm QPD2160DFournit 32,5 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 10,4 dB et un rendement de puissance ajoutée de 63 % à 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 200 µm QPD2120DFournit 31 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 11,5 dB et un rendement de puissance ajoutée de 57 % à 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discret 800 µm QPD2080DFournit 29,5 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 11,5 dB et un rendement de puissance ajoutée de 56 % à 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discret 1 600 µm QPD2060DFournit 28 dBm de puissance de sortie à P1dB, un gain de 12 dB et un rendement de puissance ajoutée de 55 % à 1 dB.19.04.2022 -
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 400 µm QPD2040DConçue à l'aide du procédé de production pHEMT de puissance standard éprouvé de 0,25 µm de Qorvo.14.02.2022 -
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 180 µm QPD2018DUtilise le procédé de production pHEMT de puissance standard éprouvé de 0,25 µm de Qorvo.14.02.2022 -
Qorvo Puce pHEMT GaAs discrète 250 µm QPD2025DDéveloppée à l'aide du procédé éprouvé de production pHEMT de puissance standard de 0,25 µm de Qorvo.14.02.2022