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Renesas Electronics Carte d'évaluation RTDTTP4200W066A GaN

La carte d'évaluation GaN RTDTTP4200W066A de Renesas Electronics est une carte d'évaluation 4,2 kW de correction du facteur de puissance (PFC) en configuration totem-pole sans pont qui permet une conversion CA/CC monophasée très efficace utilisant le FET Renesas Gen IV Plus SuperGaN® actuel. Le TP65H030G4PWS de Renesas Electronics est un pont de FET en nitrure de gallium (GaN) sans diode avec une faible charge de récupération inverse.

Caractéristiques

  • Capacité de PFC en configuration totem-pole à ligne basse et à ligne haute, prenant en charge jusqu'à 4 200 W avec une sortie de 385 VDC
  • Fréquence de commutation 66 kHz
  • Haute efficacité et faibles pertes
  • Température du boîtier refroidi jusqu'à la puissance maximale
  • Protection contre les surintensités et les surtensions
  • Disponible sans Pb

Applications

  • PFC à pôle totem sans pont
  • Alimentations électriques pour centres de données
  • Alimentations électriques industrielles larges
  • Convertisseurs PV
  • Servomoteurs

Configuration de carte

Plan mécanique - Renesas Electronics Carte d'évaluation RTDTTP4200W066A GaN

FET GaN associés

Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.

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Publié le: 2025-08-06 | Mis à jour le: 2025-08-25