Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1035
Les transistors de puissance RF au GaN QPD1035 de Qorvo sont des HEMT discrets au GaN sur SiC de 40 W fonctionnant avec du CC à 6 GHz avec une alimentation de 50 V. Les transistors QPD1035 Qorvo comprennent une pré-correspondance d’entrée, ce qui les rend parfaits pour les amplificateurs large bande en fonctionnement pulsé et CW. Ces composants sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.
Caractéristiques
- Gamme de fréquences de fonctionnement avec du CC à 6 GHz
- Tension d'exploitation de 50 V
- Puissance de sortie (P3dB) = 50 W
- Rendement de drain (P3dB) = 52,2 %
- Gain linéaire = 15,1 dB
- Boîtier à faible résistance thermique
Applications
- Radar à usage militaire
- Radar civil
- Communications radio professionnelles et militaires
- Instrumentation de test
- Amplificateurs à large bande ou à bande étroite
- Brouillages
Schéma fonctionnel
Cartes d'évaluation
Publié le: 2024-09-09
| Mis à jour le: 2024-09-12