Transistors de puissance RF au GaN QPD1035

Les transistors de puissance RF au GaN QPD1035 de Qorvo  sont des HEMT discrets au GaN sur SiC de 40 W fonctionnant avec du CC à 6 GHz avec une alimentation de 50 V. Les transistors QPD1035 Qorvo  comprennent une pré-correspondance d’entrée, ce qui les rend parfaits pour les amplificateurs large bande en fonctionnement pulsé et CW. Ces composants sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.