La carte d'évaluation QPD1029L de Qorvo est conçue pour évaluer le transistor FET adapté en interne (IMFET) RF au GaN QPD1029L, qui fonctionne entre la plage de fréquence 1,2 GHz et 1,4 GHz. Le transistor RF QPD1029L de Qorvo est idéal pour les applications radar.
Caractéristiques
Gamme de fréquences de 1,2 GHz à 1,4 GHz
Puissance de sortie de 1 500 W (P3dB) à tirage de charge de 1,3 GHz
Gain linéaire de 21,3 dB à tirage de charge de 1,3 GHz
PAE3dB standard de 75 % à tirage de charge de 1,3 GHz
Tension d'exploitation de 65 V
Capacité d'onde continue (CW) et d'impulsion
Transistor associé
Qorvo Transistor IMFET RF au GaN QPD1029L
transistor adapté à l'entrée RF GaN de fréquence 1 500 W, 65 V, 1,2 GHz à 1,4 GHz, idéalement adapté au radar.