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QPD1029L

Name: Qorvo QPD1029L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1029L
Price: 1808.94 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

772-QPD1029L

N° de fab. :

QPD1029L

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr

Fiche technique:

QPD1029L Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Marque:	Qorvo
Fréquence de fonctionnement max.:	1.4 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	1.2 GHz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	1.5 kW
Conditionnement:	Waffle
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1029L
Nombre de pièces de l'usine:	18
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT

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Fiche technique

QPD1029L Fiche technique (PDF)

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USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

Transistor IMFET RF au GaN QPD1029L

Le transistor FET adapté en interne (IMFET) RF au GaN QPD1029L de Qorvo est un transistor discret 1 500 W (P_{3 dB}) à haute mobilité d'électrons (HEMT) au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC). Cet IMFET RF fonctionne sur une gamme de fréquences de 1,2 GHz à 1,4 GHz. Le transistor QPD1029L facilite l'adaptation de la carte externe et économise de l'espace sur la carte. Ce transistor Qorvo est un dispositif conforme à la directive RoHS. Le dispositif transistor IMFET QPD1029L est utilisé dans un boîtier à cavité d'air aux normes de l'industrie et est idéal pour les radars.