Qorvo Carte d'évaluation QPD1016LEVB01
La carte d'évaluation QPD1016LEVB01 de Qorvo est une plateforme de démonstration et de développement pour le transistor RF GaN QPD1016L. Le QPD1016L est un transistor de 500 W (P3dB) discret en nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité électronique (HEMT GaN sur SiC) fonctionnant de CC à 1,7 GHz. Le QPD1016L fournit un gain linéaire de 18 dB à 1,3 GHz et dispose d'un rendement de drain de 67 % à 3 dB de compression. Le dispositif peut prendre en charge les opérations linéaires et pulsées.
La carte d'évaluation QPD1016LEVB01 de Qorvo comprend un transistor RF QPD1016L préinstallé dans un boîtier NI-780 à cavité d'air standard. La carte d'évaluation fournit un exemple de circuit d'application, permettant un prototypage rapide lorsqu'elle est intégrée aux conceptions existantes.
Caractéristiques
- Transistor RF QPD1016L pré-installé
- RO4350B épaisseur 0,020 po avec revêtement en cuivre de 2 oz
- PCB 3,98 po x 3,98 po
Dispositif pris en charge
Qorvo Transistor RF au GaN QPD1016L
GaN discret de 500 W (P3dB) sur HEMT SiC fonctionnant de 420 MHz à 450vMHz.
Agencement de la carte
Publié le: 2022-07-11
| Mis à jour le: 2022-07-14