Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

QPD1016L

Name: Qorvo QPD1016L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1016L
Price: 1092.41 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

772-QPD1016L

N° de fab. :

QPD1016L

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr

Fiche technique:

QPD1016L Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Qorvo QPD1016L

En stock: 1

Stock:: 1 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Les quantités supérieures à 1 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1.092,41 €	1.092,41 €
25	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	NI-780
Polarité du transistor:	P-Channel
Id - Courant continu de fuite:	1 A
Pd - Dissipation d’énergie :	714 W
Marque:	Qorvo
Gain:	18 dB
Tension drain-porte max.:	50 V
Fréquence de fonctionnement max.:	1.7 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	537 W
Conditionnement:	Waffle
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1016L
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

QPD1016L Fiche technique (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor RF au GaN QPD1016L

Le transistor QPD1016L GaN RF de Quorvo est un transistor de 500 W (P3dB) discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC) fonctionnant avec du courant continu à 1,7 GHz. Le QPD1016L fournit un gain linéaire de 18 dB à 1,3 GHz et dispose d'un rendement de drain de 67 % à 3 dB de compression. Le dispositif peut prendre en charge les opérations linéaires et pulsées.