Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
Les transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A de Qorvo sont des transistors discrets au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité électronique (HEMT GaN sur SiC), 25 W (P3dB), avec une adaptation d’entrée de 50 Ω, fonctionnant de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation 50 V. Un réseau d'adaptation d'entrée intégré permet un gain de large bande et des performances de puissance, tandis que la sortie peut être adaptée sur la carte pour optimiser la puissance et l'efficacité pour n'importe quelle région de la bande. Les transistors QPD1004A de Qorvo sont parfaitement adaptés aux stations de base, aux applications radar et de communication, et prennent en charge les modes de fonctionnement à onde continue (CW) et à impulsion. Ces dispositifs sont logés dans un boîtier DFN à montage en surface de 6 mm x 5 mm x 0,85 mm conforme aux normes de l'industrie.
Caractéristiques
- Transistors HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 25 W (P3 dB)
- Fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d'alimentation de 50 V
- Réseau d'adaptation d'entrée intégré
- Boîtier à faible résistance thermique
- Compatible avec les ondes continues (CW) et les impulsions
- Boîtier DFN 6 mm x 5 mm x 0,85 mm, montage en surface
- Sans SVHC et sans PFOS
- Sans plomb, sans halogène/antimoine et conforme à la directive RoHS
Applications
- Radar à usage militaire
- Communications mobiles terrestres et radio militaires
- Instrumentation de test
- Amplificateurs à large bande ou à bande étroite
- Brouilleurs
Caractéristiques techniques
- Tension de rupture maximale de +145 V
- Courant de drain maximal de 3,6 A
- Tension de drain maximale : 55 V
- Courant de polarisation de drain standard : 50 mA
- Plage de tension de grille maximale de -7 V à +2 V -2,8 V standard
- Plage de courant de grille maximal : 7,2 mA
- Puissance dissipable admissible : 27,6 W, 25 W en fonctionnement
- Puissance d'entrée RF maximale de 29,7 dBm
- Gamme de fréquences de 0,6 GHz à 1,2 GHz
- Plages de gain linéaire
- Optimisé pour la puissance : de 18,4 dB à 21,2 dB
- Optimisé pour le rendement : de 18,8 dB à 22,6 dB
- Plages de puissance de sortie à une compression de 3 dB
- Optimisé pour la puissance : de 45,7 dBm à 46,0 dBm
- Optimisé pour le rendement : de 43,5 dBm à 45,0 dBm
- Plages de rendement à puissance ajoutée à une compression de 3 dB
- Optimisé pour la puissance : de 59,5 % à 63,5 %
- Optimisé pour le rendement : de 65,0 % à 73,7 %
- Plages de gain à une compression de 3 dB
- Optimisé pour la puissance : de 15,4 dB à 18,2 dB
- Optimisé pour le rendement : de 15,8 dB à 19,6 dB
- Température de montage maximale de +320 °C pendant 30 s
- Plage de température de fonctionnement de -40 °C à +85 °C
- Température maximale des canaux de +250 °C
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3
- Valeurs nominales de décharge électrostatique (DES) selon les normes ANSI/DES/JEDEC JS-001
- Modèle de corps humain (HBM) 250 V
- Modèle de dispositif chargé (CDM) 1 000 V
Schéma fonctionnel
Outil de développement associé
Qorvo Carte d'évaluation QPD1004AEVB
Conçue spécifiquement pour accélérer la caractérisation des dispositifs et le prototypage des amplificateurs dans la bande de 100 MHz à 1 GHz.
Publié le: 2026-01-13
| Mis à jour le: 2026-01-19