Qorvo Carte d'évaluation QPD0011EVB1
La carte d'évaluation QPD0011EVB1 de Qorvo est une plateforme de démonstration et de développement pour le transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC) 30/60 W, 48 V, référence QPD0011 de Qorvo. Le QPD0011 est un transistor amplificateur de puissance asymétrique à deux voies pour applications de type Doherty. Le QPD0011 se caractérise par sa plage de fréquence de 3,3 GHz à 3,6 GHz et son gain de Doherty maximal de 13,3 dB. Chaque voie intègre un transistor qui fonctionne comme un unique étage d'amplification. Le QPD0011 peut fournir une puissance moyenne de 15 W dans un montage Doherty.
La carte d'évaluation QPD0011EVB1 est équipée d'un composant Qorvo QPD0011 en boîtier DFN compact de 7,0 mm x 6,5 mm pré-monté sur la carte. Cette carte d'évaluation fournit un exemple de circuit d'application facile à incorporer dans des conceptions existantes pour permettre de réaliser rapidement des prototypes.
Composant pris en charge
Qorvo Transistor HEMT 30 W/60 W, 48 V, au GaN sur SiC QPD0011
Transistor d'amplificateur de puissance asymétrique à deux voies à gain de Doherty maximal de 13,3 dB.
Publié le: 2021-04-22
| Mis à jour le: 2022-03-11