Qorvo Transistor HEMT 30 W/60 W, 48 V, au GaN sur SiC QPD0011
Le QPD0011 de Qorvo est un transistor à grande mobilité d'électrons (HEMT) au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC), de 30 W/60 W, 48 V, conçu pour servir d'amplificateur de puissance asymétrique à deux voies pour applications de Doherty. Le QPD0011 se caractérise par sa plage de fréquence de 3,3 GHz à 3,6 GHz et son gain maximal de Doherty de 13,3 dB. Chaque voie intègre un transistor qui fonctionne comme un unique étage d'amplification. Le QPD0011 peut fournir une puissance moyenne de 15 W dans un montage Doherty.
Le transistor à grande mobilité d'électrons (HEMT) au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC) QPD0011 de Qorvo est proposé dans un boîtier DFN compact de 7,0 mm x 6,5 mm.
Caractéristiques
- Plage de fréquence de fonctionnement : 3,3 GHz à 3,6 GHz
- Tension de drain de fonctionnement (VD) : +48 V
- Puissance de Doherty maximale en crête : 90 W à 3,5 GHz
- Rendement maximal de Doherty au niveau du drain : 48 % à 3,5 GHz
- Gain maximal de Doherty : 13,3 dB à 3,5 GHz
- Puissance de sortie au point de saturation (PSAT) : 49,5 dBm
- Courant de repos au niveau du drain (IDQ) : 65 mA
- Boîtier DFN de 7,0 mm x 6,5 mm
- Sans halogène, sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Applications WCDMA et LTE
- Station de base de macrocellule
- Station de base de microcellule
- Petites cellules
- Antenne active
- Équipements MIMO massifs pour la 5G
- Applications asymétriques de Doherty
Outils de développement
Qorvo Carte d'évaluation QPD0011EVB1
Plateforme de démonstration et de développement pour le transistor de type HEMT GaN-sur-SiC 30/60 W, 48 V, référence QPD0011.
Publié le: 2021-04-22
| Mis à jour le: 2022-03-11