onsemi Transistor JFET SiC normalement activé UJ4N 750 V 4,3 mΩ

Le transistor JFET SiC normalement activé UJ4N 750 V 4,3 mΩ d'Onsemi présente une résistance d'activation ultra-faible (RDS(on)) dans un boîtier TOLL compact. Cette caractéristique le rend idéal pour répondre aux contraintes thermiques et spatiales difficiles des disjoncteurs à semi-conducteurs et des applications de relais. Le JFET UJ4N d'Onsemi utilise une technologie robuste capable d'assurer la commutation à haute énergie requise dans les applications de protection de circuit.

Caractéristiques

  • Résistance à l'état passant à un chiffre dans un boîtier CMS TOLL
  • Température de fonctionnement maximale de +175 °C
  • Capacité de courant pulsé élevée
  • Excellente robustesse du dispositif
  • Matrice frittée argentée attachée pour une excellente résistance thermique
  • Classé court-circuit
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Disjoncteurs à l'état solide/semiconducteurs
  • Relais à semiconducteurs
  • Déconnexions de batterie
  • Protection contre les surtensions
  • Contrôle du courant d'appel

Schéma du circuit

Schéma du circuit d'application - onsemi Transistor JFET SiC normalement activé UJ4N 750 V 4,3 mΩ
Publié le: 2024-10-09 | Mis à jour le: 2025-07-25