Transistor JFET SiC normalement activé UJ4N 750 V 4,3 mΩ

Le transistor JFET SiC normalement activé UJ4N 750 V 4,3 mΩ d'Onsemi présente une résistance d'activation ultra-faible (RDS(on)) dans un boîtier TOLL compact. Cette caractéristique le rend idéal pour répondre aux contraintes thermiques et spatiales difficiles des disjoncteurs à semi-conducteurs et des applications de relais. Le JFET UJ4N d'Onsemi utilise une technologie robuste capable d'assurer la commutation à haute énergie requise dans les applications de protection de circuit.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Vds - Tension de rupture drain-source
Vgs - Tension de rupture grille-source
Courant drain/source à Vgs=0
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
onsemi JFET UJ4N075005K4S
Fiche technique
476En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi JFET UJ4N075004L8S
Fiche technique
57En stock
2.00011/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.3 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UJ4N Reel, Cut Tape