onsemi FET SiC hautes performances 650 V et 1 200 V UF3SC

Les FET SiC hautes performances de 650 V et 1 200 V UF3SC de Qorvo sont des composants au carbure de silicium avec une R_DS(on) faible de 7 mΩ à 45 mΩ, conçus pour des vitesses de commutation élevées et des pertes de commutation réduites. Ces composants sont basés sur une configuration de circuit cascode unique et apportent une charge de grille ultra-faible. La configuration de cascode utilise un JFET SiC normalement activé co-emballé avec un MOSFET au silicium pour produire un composant FET SiC normalement désactivé. Les FET UF3SC présentent des caractéristiques de commande de grille standard qui en font des alternatives idéales aux IGBT Si, FET Si, MOSFET SiC ou dispositifs à super-jonction Si. Ces FET SiC comprennent une faible capacité intrinsèque et une excellente récupération inverse. Les FET UF3SC de Qorvo fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à +175 °C et sur une plage de tension grille-source de -20 V à +20 V. Ces FET SiC sont idéaux pour la charge des véhicules électriques (VE), les onduleurs photovoltaïques (PV), les entraînements de moteurs, les alimentations à découpage, les modules de correction du facteur de puissance (PFC) et le chauffage par induction. Les FET SiC UF3SC de Qorvo sont disponibles en boîtiers TO-247-3L et TO-247-4L pour une commutation plus rapide et des formes d’onde de grille propres.