onsemi FET SiC hautes performances UF3SC en boîtier D2-PAK

Les SiC FET hautes performances UF3SC de Qorvo en boîtier D2-PAK-7L (boîtier Kelvin à 7 fils) sont basés sur une configuration de circuit « cascode » unique et disposent d’une excellente récupération inverse. La configuration de circuit comprend un JFET SiC normalement activé à boîtier commun avec le MOSFET Si pour produire un dispositif FET SiC normalement éteint.  Les FET UF3SC disposent de caractéristiques de commande de grille standard qui permettent de « remplacer » véritablement les IGBT à Si, les FET Si, les MOSFET SiC et les dispositifs à super-jonction Si. “” Ces FET SiC haute performance fonctionnent à une température maximale de 175 °C, une faible charge de grille de 43 nC et une tension de seuil standard de 5 V. Parmi les applications standard, on retrouve les alimentations de serveurs et de télécommunications, les entraînements de moteurs, le chauffage par induction et les alimentations industrielles.