onsemi MOSFET NTMFSC PowerTrench®

Les MOSFET NTMFSC PowerTrench® Onsemi offrent une faible RDS(on) tout en maintenant d'excellentes performances de commutation grâce à une résistance thermique de jonction à la température ambiante (θJA) extrêmement faible. Cela est possible grâce aux progrès technologiques réalisées en matière de silicium et dans les boîtiers Dual Cool™. Les MOSFET PowerTrench® sont fournis en boîtier DFN-8 testé à 100 % UIL et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent les redresseurs synchrones, les alimentations CA-CC, les MOSFET primaires sur convertisseurs isolés 48 V et les convertisseurs CC-CC isolés.

Caractéristiques

  • BOÎTIER PQFN Dual Cool™ à refroidissement côté haut
  • Technologie de haute performance pour un RDS(on) extrêmement faible
    • 4 mΩ max RDS(on) à 10 V VGS, 44 A ID
    • 8,5 mΩ max RDS(on) à 6 V VGS, 22 A ID
  • Amélioration des thermiques
  • Pertes en conduction et de commutation faibles
  • Testé à 100 % UIL
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Redresseurs synchrones
  • Alimentations CA-CC
  • MOSFET primaire sur convertisseurs isolés 48 V
  • Convertisseurs CC-CC isolés

Configuration

Schéma de principe - onsemi MOSFET NTMFSC PowerTrench®
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Numéro de pièce Fiche technique Description
NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC Fiche technique MOSFET 80V PTNG IN 5X6 DUALCOOL
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 Fiche technique MOSFET MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC Fiche technique MOSFET 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL
Publié le: 2020-07-01 | Mis à jour le: 2024-11-07