MOSFET NTMFSC PowerTrench®

Les MOSFET NTMFSC PowerTrench® Onsemi offrent une faible RDS(on) tout en maintenant d'excellentes performances de commutation grâce à une résistance thermique de jonction à la température ambiante (θJA) extrêmement faible. Cela est possible grâce aux progrès technologiques réalisées en matière de silicium et dans les boîtiers Dual Cool™. Les MOSFET PowerTrench® sont fournis en boîtier DFN-8 testé à 100 % UIL et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent les redresseurs synchrones, les alimentations CA-CC, les MOSFET primaires sur convertisseurs isolés 48 V et les convertisseurs CC-CC isolés.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
onsemi NTMFSC010N08M7
onsemi MOSFET MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC 1.908En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 61 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 78.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL 1.576En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 150
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 100 V 116 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 80V PTNG IN 5X6 DUALCOOL 79En stock
3.00018/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 136 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 43.4 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel