onsemi MOSFET de puissance pont en H EliteSiC 650 V NXVF6532M3TG01
Le module MOSFET de puissance pont en H EliteSiC 650 V NXVF6532M3TG01 d'onsemi est conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie dans les environnements automobile et industriel. Construit avec la technologie avancée de carbure de silicium (SiC), le NXVF6532M3TG01 d'onsemi offre une efficacité supérieure, une commutation rapide et des performances thermiques robustes. Le module intègre quatre MOSFET SiC 32 mΩ dans une configuration en pont en H, ce qui rend le dispositif idéal pour une utilisation dans les chargeurs embarqués (OBC), les convertisseurs CC-CC et les systèmes de transmission de véhicules électriques (VE). Logé dans un boîtier APM16 compact avec détection de température intégrée, le composant permet une gestion thermique fiable et une densité énergétique élevée. Le NXVF6532M3TG01 est homologué AEC-Q101/Q200 et AQG324, garantissant une fiabilité et des performances de niveau automobile dans des conditions de fonctionnement difficiles.
Caractéristiques
- Module MOSFET SiC 650 V 32 mΩ avec DBC Al2O3
- Pont en H avec SIP pour le chargeur embarqué (OBC)
- Distance d'isolement conformément à l'IEC60664-1 et l'IEC 60950-1
- Conception compacte pour une faible résistance totale du module
- Sérialisation du module pour une traçabilité complète
- Boîtier du module d'alimentation automobile 16 (APM16), 40,10 mm x 21,90 mm x 4,50 mm, 1,90 P, boîtier 829AA
- Classification UL 94V-0
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
- Homologué pour l'automobile selon les normes AEC-Q101/Q200 et AQG324
Applications
- Convertisseurs PFC/CC-CC pour chargeurs embarqués dans les véhicules électriques (VE)
- Systèmes de groupe motopropulseur des véhicules électriques
- Entraînements à moteur industriels
- Systèmes d’énergie renouvelable
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source maximale de 650 V
- Plage de tension grille-source maximale de -8 V à +22 V
- Valeurs d'exploitation recommandées de la tension grille-source de -3 V à +18 V
- Courant de drain continu maximal de 31 A
- Puissance dissipable admissible de 65,2 W
- Courant de drain pulsé maximal de 165 A
- Courant de source de diode de corps maximal de 14,5 A
- Énergie Avalanche drain-source à impulsion unique maximum de 139 mJ
- Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à +175 °C
- Résistance thermique
- Jonction-enveloppe maximum de 2,3 °C/W, 1,74 °C/W standard
- Jonction-dissipateur standard de 2,43 °C/W
Schéma et configuration des broches
Dimensions
Publié le: 2025-07-29
| Mis à jour le: 2025-08-08