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NXVF6532M3TG01

Name: onsemi NXVF6532M3TG01
Brand: onsemi
SKU: 863-NXVF6532M3TG01
Price: 21.47 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NXVF6532M3TG01

N° de fab. :

NXVF6532M3TG01

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NXVF6532M3TG01 Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	21,47 €	21,47 €
	17,57 €	175,70 €
	15,52 €	1.552,00 €
25.000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	APM-16
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	4 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	31 A
Rds On - Résistance drain-source:	44 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 C
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	58 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	65.2 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	onsemi
Configuration:	Quad
Temps de descente:	9.2 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	6 ns
Série:	NXVF6532M3TG01
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	4 N-Channel
Type:	Half Bridge
Délai de désactivation type:	33.2 ns
Délai d'activation standard:	8.4 ns

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NXVF6532M3TG01 Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance pont en H EliteSiC 650 V NXVF6532M3TG01

Le module MOSFET de puissance pont en H EliteSiC 650 V NXVF6532M3TG01 d'onsemi est conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie dans les environnements automobile et industriel. Construit avec la technologie avancée de carbure de silicium (SiC), le NXVF6532M3TG01 d'onsemi offre une efficacité supérieure, une commutation rapide et des performances thermiques robustes. Le module intègre quatre MOSFET SiC 32 mΩ dans une configuration en pont en H, ce qui rend le dispositif idéal pour une utilisation dans les chargeurs embarqués (OBC), les convertisseurs CC-CC et les systèmes de transmission de véhicules électriques (VE). Logé dans un boîtier APM16 compact avec détection de température intégrée, le composant permet une gestion thermique fiable et une densité énergétique élevée. Le NXVF6532M3TG01 est homologué AEC-Q101/Q200 et AQG324, garantissant une fiabilité et des performances de niveau automobile dans des conditions de fonctionnement difficiles.