onsemi Module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC)

Le module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC) d’Onsemi présente une topologie en pont complet MOSFET SiC M3S de 15 mΩ/1200 V et un thermistor avec Al₂O₃ DBC dans un boîtier F1. Ce module d’alimentation présente une tension de source de grille de +22 V/-10 V, un courant de drain continu de 77 A @ T_C = 80 °C (T_J = 175 °C), une puissance dissipable admissible de 198 W et une distance de fuite de 12,7 mm. Le MOSFET SiC NXH015F120M3F1PTG est livré avec un matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans TIM pré-appliqué. Le module SiC est sans Pb sans halogénure et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques incluent les convertisseurs solaires, les alimentations sans interruption, les stations de chargement de véhicules électriques et l’alimentation industrielle.