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NXH015F120M3F1PTG

Name: onsemi NXH015F120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-XH015F120M3F1PTG
Price: 58.54 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-XH015F120M3F1PTG

N° de fab. :

NXH015F120M3F1PTG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NXH015F120M3F1PTG Fiche technique

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Press Fit
Package/Boîte:	42.5 mm x 33.8 mm
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	77 A
Rds On - Résistance drain-source:	19 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.4 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	198 W
Série:	NXH015F120M3F1PTG
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Configuration:	Quad
Temps de descente:	7.5 ns
Hauteur:	12 mm
Longueur:	42.5 mm
Produit:	MOSFET Modules
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	8.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	28
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	Full Bridge
Délai de désactivation type:	103 ns
Délai d'activation standard:	33.3 ns
Vf - Tension directe:	4.67 V
Largeur:	33.8 mm

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Fiche technique

NXH015F120M3F1PTG Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC)

Le module NXH015F120M3F1PTG en carbure de silicium (SiC) d’Onsemi présente une topologie en pont complet MOSFET SiC M3S de 15 mΩ/1200 V et un thermistor avec Al₂O₃ DBC dans un boîtier F1. Ce module d’alimentation présente une tension de source de grille de +22 V/-10 V, un courant de drain continu de 77 A @ T_C = 80 °C (T_J = 175 °C), une puissance dissipable admissible de 198 W et une distance de fuite de 12,7 mm. Le MOSFET SiC NXH015F120M3F1PTG est livré avec un matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans TIM pré-appliqué. Le module SiC est sans Pb sans halogénure et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques incluent les convertisseurs solaires, les alimentations sans interruption, les stations de chargement de véhicules électriques et l’alimentation industrielle.