onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

Les MOSFET à canal N unique NVD6824NL d’onsemi affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés. Ces MOSFET présentent une tension drain-source de 100 V, une résistance à l'état passant drain-source maximale de 20 mΩ et un courant de drain continu de 41 A. Les MOSFET NVD6824NL sont homologués AEC-Q101 et capables de PHPP. Ces MOSFET sont spécifiés pour l'énergie avalanche. Les MOSFET NVD6824NL sont exempts de Pb et d'halogène/BFR et sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET sont adaptés aux applications automobiles telles que les pilotes de solénoïde et les commutateurs boost.

Caractéristiques

  • Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
  • Capacité de courant élevé
  • Particulièrement indiqué pour l'énergie d'avalanche
  • 100 V drain-vers-source
  • Résistance à l'état passant source-drain maximale de 20 mΩ
  • Courant de drain continu de 41 A
  • Qualification AEC-Q101
  • Sans plomb et sans halogène/BFR
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Pilotes de solénoïde
  • Commutateurs Boost

Canal N

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL
Publié le: 2025-11-07 | Mis à jour le: 2025-11-20