MOSFET à canal N unique NVD6824NL

Les MOSFET à canal N unique NVD6824NL d’onsemi affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés. Ces MOSFET présentent une tension drain-source de 100 V, une résistance à l'état passant drain-source maximale de 20 mΩ et un courant de drain continu de 41 A. Les MOSFET NVD6824NL sont homologués AEC-Q101 et capables de PHPP. Ces MOSFET sont spécifiés pour l'énergie avalanche. Les MOSFET NVD6824NL sont exempts de Pb et d'halogène/BFR et sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET sont adaptés aux applications automobiles telles que les pilotes de solénoïde et les commutateurs boost.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
onsemi MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM 694En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 41 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100V, 41A, 20mohm
2.50010/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 100 V 41 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape