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onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Le MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X d'onsemi offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool). Ce MOSFET dispose d’un faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction et un faible QG, ainsi qu'une faible capacité pour minimiser les pertes de pilote. Le NVBYST0D6N08X d’onsemi est conforme à la norme AEC-Q101, compatible PHPP, sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS. Une application typique pour ce MOSFET est leredressement synchrone (SR) dans les alimentations CC-CC et CA-CC, un commutateur principal dans un convertisseur CC-CC isolé, les entraînements à moteur et les systèmes automobiles 48 V.

Caractéristiques

  • Faible QRR, diode de corps à récupération progressive
  • Faible RDS(on) pour réduire au minimum les pertes de conduction
  • Faibles QG et capacité pour minimiser les pertes de pilote
  • Qualifié AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Redressement synchrone (SR) dans les alimentations CC-CC et CA-CC
  • Commutateur principal dans un convertisseur CC-CC isolé
  • Entraînements à moteur
  • Système automobile 48 V

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source (VDSS) de 80 V (max.)
  • Tension grille-source (VGS) de 20 V (max.)
  • Courant de drain continu (ID) de 767 A (max.) à TC = +25 °C, 542 A à TC = +100 °C
  • Dissipation d'énergie (PD) de 750 W (max.) à +25 °C
  • Courant de drain pulsé (IDM) de 2 443 A (max.) à TC = 25 °C, tp = 100 µs
  • Plage de température de jonction de fonctionnement (Tj) et de stockage (Tstg) de -55 °C à +175 °C
  • Résistance drain-source à l'état passant [RDS(on)] de 0,56 mΩ (std) (VGS = 10 V, ID = 80 A, TJ = +25 °C)
  • Capacité d'entrée (CISS) de 16 419 pF (std) (VDS = 40 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
  • Capacité de sortie (COSS) de 4 654 pF (std) (VDS = 40 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
  • Charge de grille totale [QG(TOT)] de 228 nC (std) (VDD = 40 V, ID = 80 A, VGS = 10 V)

Schémas de circuit/marquage

Schéma - onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
Publié le: 2025-11-24 | Mis à jour le: 2025-12-26