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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8)
Fiche technique
42En stock
1.500Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFLPAK-16 N-Channel 1 Channel 80 V 643 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 182 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12
Fiche technique
1En stock
3.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.500

Si SMD/SMT TCPAK1012 N-Channel 1 Channel 80 V 767 A 640 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 228 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape