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onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X

Le MOSFET NVBLS1D2N08X d’Onsemi est doté d’un faible QRR, RDS(on) et QG pour minimiser les pertes de pilote et de conduction. Le MOSFET est homologué AEC-Q101 pour les applications de systèmes automobile 48 V. Le dispositif fonctionne avec une tension drain-source de 80 V et un courant de drain continu de 299 A. Le MOSFET NVBLS1D2N08X d’Onsemi est disponible dans un boîtier H-PSOF8L.

Caractéristiques

  • Diode de corps à récupération progressive, QRR faible
  • Faible RDS (on) pour minimiser les pertes de conduction
  • Faibles Qg et capacité pour minimiser les pertes de conduction
  • Homologué AEC-Q101 et compatible PPHP
  • Sans Pb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Redressement synchrone (SR) en CC-CC et CA-CC
  • Commutateur primaire en convertisseur CC-CC isolé
  • Entraînements à moteur
  • Système automobile 48 V

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source de 80 V
  • Résistance drain-source de 1,1 mΩ à 10 V
  • Courant de drain continu 299 A

Style de boîtier

Schéma du circuit d'application - onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X

Réponse thermique transitoire

Graphique des performances - onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X
Publié le: 2025-04-10 | Mis à jour le: 2025-04-28