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NVBLS1D2N08XTXG

Name: onsemi NVBLS1D2N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D2N08XTXG
Price: 4.88 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVBLS1D2N08XTXG

N° de fab. :

NVBLS1D2N08XTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T10 80V SG TOLL

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVBLS1D2N08XTXG Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,88 €	4,88 €
	3,45 €	34,50 €
	2,98 €	298,00 €
	2,90 €	1.450,00 €
	2,81 €	2.810,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	2,75 €	5.500,00 €
10.000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	H-PSOF-8L
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	299 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	121 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	197 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	294 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	23 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	65 ns
Délai d'activation standard:	40 ns

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NVBLS1D2N08XTXG Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NVBLS1D2N08X

Le MOSFET NVBLS1D2N08X d’Onsemi est doté d’un faible Q_RR, R_DS(on) et Q_G pour minimiser les pertes de pilote et de conduction. Le MOSFET est homologué AEC-Q101 pour les applications de systèmes automobile 48 V. Le dispositif fonctionne avec une tension drain-source de 80 V et un courant de drain continu de 299 A. Le MOSFET NVBLS1D2N08X d’Onsemi est disponible dans un boîtier H-PSOF8L.