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onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

Le MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8 d’onsemi est conçu avec la technologie haute performance PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse. Ce MOSFET à canal P supporte des puissances et des courants élevés dans un boîtier à montage en surface couramment utilisé. Le MOSFET NTTFS007P02P8 affiche une tension drain-source de -20 V, une tension grille-source de ±8 V, une résistance thermique jonction-boîtier de 3,8 °C/W et une résistance de grille de 4,5 Ω. Ce MOSFET à canal P est sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS. Parmi les applications courantes, on peut citer la commutation de charge, la gestion des batteries, la gestion de l’alimentation et la protection contre les inversions de polarité.

Caractéristiques

  • RDS(on) maximale = 6,5 mΩ pour VGS = -4,5 V, ID = -14 A
  • RDS(on) maximale = 9,8 mΩ pour VGS = -2,5 V, ID = -11 A
  • RDS(on) maximale = 20 mΩ à VGS = -1,8 V, ID = -9 A
  • Technologie à tranchée haute performance pour un RDS(on) extrêmement faible
  • Supporte des puissances et des courants élevés dans un boîtier à montage en surface couramment utilisé
  • Sans plomb et sans halogène
  • Conforme RoHS

Applications

  • Commutation de charge
  • Gestion de batteries
  • Gestion de l'alimentation
  • Protection contre l'inversion de polarité

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source de -20 V
  • Tension grille-source de ±8 V
  • Résistance thermique jonction-boîtier de 3,8 °C/W
  • Résistance de grille de 4,5 Ω
  • Plage de température de fonctionnement et de stockage de -55 °C à 150 °C

Caractéristiques de performance standard

Graphique des performances - onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

Dimensions

Plan mécanique - onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
Publié le: 2025-11-19 | Mis à jour le: 2025-11-27