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NTTFS007P02P8

Name: onsemi NTTFS007P02P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS007P02P8
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTTFS007P02P8

N° de fab. :

NTTFS007P02P8

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTTFS007P02P8 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PQFN-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	56 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	44 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	68 ns
Transconductance directe - min.:	80 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	33 ns
Série:	NTTFS007P02P8
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	119 ns
Délai d'activation standard:	19 ns

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Fiche technique

NTTFS007P02P8 Fiche technique

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

Le MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8 d’onsemi est conçu avec la technologie haute performance PowerTrench pour des performances de commutation avec une R_DS(on) extrêmement faible et une grande robustesse. Ce MOSFET à canal P supporte des puissances et des courants élevés dans un boîtier à montage en surface couramment utilisé. Le MOSFET NTTFS007P02P8 affiche une tension drain-source de -20 V, une tension grille-source de ±8 V, une résistance thermique jonction-boîtier de 3,8 °C/W et une résistance de grille de 4,5 Ω. Ce MOSFET à canal P est sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS. Parmi les applications courantes, on peut citer la commutation de charge, la gestion des batteries, la gestion de l’alimentation et la protection contre les inversions de polarité.