onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTMFS005P03P8Z
Le MOSFET de puissance monocanal P NTMFS005P03P8Z d'onsemi est idéal pour les commutateurs de charge d’alimentation, la gestion de batterie et la protection (courant inverse, surtension et tension négative inverse). Fonctionnant dans une plage de température de jonction de -55 °C à +150 °C, le NTMFS005P03P8Z fournit une tension drain-source de -30 V, une résistance en marche de 2,7 mΩ à 10 V et un courant drain/veille de 164 A. Le NTMFS005P03P8Z d'onsemi est fourni dans un boîtier SO8-FL de 5 mm x 6 mm utilisant une technologie de boîtier avancée pour gagner de la place et une excellente conduction thermique.
Caractéristiques
- RDS (on) ultra-faible pour améliorer l’efficacité du système
- Technologie de boîtier avancée pour un gain de place et une excellente conduction thermique
- Boîtier de 5 mm x 6 mm, SO8-FL
- Sans plomb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS
Applications
- Protections
- Courant inverse
- Surtension
- Tension négative inverse
- Commutateurs de charge d’alimentation
- Gestion de batterie
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source maximale de -30 V
- Tension grille-source maximale de ±25 V
- Plage de courant de drain continu maximal de -11 A à -164 A
- Plage de dissipation de puissance maximale de 0,9 W à 104 W
- Courant de drain pulsé maximal de -597 A
- Courant maximal de drain de tension de grille nulle de -1,0 µA
- Courant de fuite grille-source maximal de ±10 µA
- Énergie d’avalanche drain-source à impulsion unique maximale de 165,8 mJ
- Plage de résistance drain-source maximale de 2,7 mΩ à 4,4 mΩ
- Transconductance directe standard de 87 S
- Charge de grille totale standard de 183 nC
- Temps de récupération inverse standard de 57 ns
- Temps de charge standard de 34 ns
- Temps de décharge standard de 23 ns
- Charge de récupération inverse standard de 77 nC
- Capacité typique
- Entrée 7 880 pF
- Sortie de 2630 pF
- Transfert inverse de 2550 pF
- Résistance thermique maximale à l’état stable
- Jonction à boîtier de 1,2 °C/W
- Plage jonction-ambiante de 40 °C/W à 137 °C/W
- Plage de température de jonction de fonctionnement de -55 °C à +150 °C
Publié le: 2024-02-19
| Mis à jour le: 2024-03-05