MOSFET de puissance monocanal P NTMFS005P03P8Z

Le MOSFET de puissance monocanal P NTMFS005P03P8Z d'onsemi est idéal pour les commutateurs de charge d’alimentation, la gestion de batterie et la protection (courant inverse, surtension et tension négative inverse).  Fonctionnant dans une plage de température de jonction de -55 °C à +150 °C, le NTMFS005P03P8Z fournit une tension drain-source de -30 V, une résistance en marche de 2,7 mΩ à 10 V et un courant drain/veille de 164 A. Le NTMFS005P03P8Z d'onsemi  est fourni dans un boîtier SO8-FL de 5 mm x 6 mm utilisant une technologie de boîtier avancée pour gagner de la place et une excellente conduction thermique.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
onsemi MOSFET PFET SO8FL -30V 5MO
Fiche technique
263En stock
4.500Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 P-Channel 1 Channel 30 V 164 A 2.7 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 183 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMFS005P03P8ZST1G
onsemi MOSFET PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Fiche technique
134En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1.500
Si Reel, Cut Tape