onsemi Transistor bipolaire NSVT5551M

Le transistor bipolaire NSVT5551M d'Onsemi est un amplificateur NPN à usage général à faible VCE(sat), conforme à la norme AEC-Q101. Ce transistor bipolaire NPN dispose de pastilles assorties et fonctionne dans une plage de température de stockage de -55 °C à 150 °C. Le BJT NSVT5551M est sans Pb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS. Ce transistor est généralement utilisé pour de nombreuses applications différentes.

Caractéristiques

  • Livrés avec des pastilles assorties
  • Certifié AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Sans Pb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS
  • Plage de température de stockage de -55 °C à 150 °C
  • Dissipation d'énergie de 0,7 W (TC = 25 °C)
  • Courant collecteur continu de 600 mA (IC)
  • Tension émetteur-base de 6 V (VEBO)

Affectation des Broches

onsemi Transistor bipolaire NSVT5551M

Dimensions

Plan mécanique - onsemi Transistor bipolaire NSVT5551M
Publié le: 2025-07-10 | Mis à jour le: 2025-07-16