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NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 0.8 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NSVT5551MR6T1G

N° de fab. :

NSVT5551MR6T1G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

Cycle de vie:

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	0,173 €	1.038,00 €
	0,16 €	1.440,00 €
	0,156 €	3.744,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSOT-23-6
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Dual
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	160 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	180 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Pd - Dissipation d’énergie :	700 mW
Produit gain-bande passante fT :	300 MHz
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	NSVT5551M
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	600 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	80 at 1 mA, 5 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Attributs sélectionnés: 0

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
ECCN:: EAR99

Transistor bipolaire NSVT5551M

Le transistor bipolaire NSVT5551M d'Onsemi est un amplificateur NPN à usage général à faible V_CE(sat), conforme à la norme AEC-Q101. Ce transistor bipolaire NPN dispose de pastilles assorties et fonctionne dans une plage de température de stockage de -55 °C à 150 °C. Le BJT NSVT5551M est sans Pb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS. Ce transistor est généralement utilisé pour de nombreuses applications différentes.