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onsemi Transistors à résistance de polarisation PNP NBSAMXW

Les transistors à résistance de polarisation (BRT) NSBAMXW PNP d'onsemi  sont conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau de polarisation à résistance externe associé. Ces transistors à résistance de polarisation PNP contiennent un seul transistor avec un réseau de polarisation monolithique composé de deux résistances : une résistance de base en série et une résistance base-émetteur. Les BRT éliminent les composants individuels en intégrant tout dans un seul dispositif. L'utilisation d'un BRT réduit le coût du système et l'espace sur la carte. Les NSBAMXW d'onsemi  sont logés dans un boîtier XDFNW3 offrant des performances thermiques supérieures. Ces dispositifs sont idéaux pour applications à montage en surface où l'espace carte et fiabilité sont précieux.

Caractéristiques

  • Résistances de polarisation intégrées
  • Types NPN complémentaires disponibles (NSBCMXW)
  • Boîtier XDFNW3 521AC avec une hauteur d'assise réduite de 0,44 mm (maximum)
  • Boîtier à flancs mouillables pour une inspection optique automatisée (AOI) optimale
  • Valeur nominale de décharge électrostatique (DES) (HBM) de classe 1B
  • Préfixe NSV pour les applications automobiles et d'autres applications nécessitant des exigences uniques de modification de site et de contrôle ; homologué AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Sans plomb, sans halogène/RFB et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Commutation numérique
  • Contrôle des entrées CI

Caractéristiques techniques

  • Tension collecteur-émetteur/-base maximale de -50 V
  • Courant collecteur maximum de 100 mA
  • Courant de coupure collecteur-base maximum de -100 nA
  • Courant de coupure collecteur-émetteur maximum de -500 nA
  • Plage de courant de coupure émetteur-base maximale :-1,5 mA à -0,2 mA
  • Tension de saturation collecteur-émetteur maximale : -0,25 V
  • Plage de tension d'entrée maximale (off) : -0,8 V à -0,3 V
  • Plage de tension d'entrée standard (on) : -2,4 V à -1,15 V
  • Tension de sortie maximale (on) : 0,2 V
  • Tension de sortie minimale (off) : 4,9 V
  • Plage de résistance de polarisation maximale : 6,1 kΩ à 61,1 kΩ
  • La chaleur
    • Dissipation d'énergie totale maximale : 450 mW
    • Résistance thermique jonction-température ambiante : 145 °C/W
    • Plage de température de jonction de -65 °C à +150 °C

Connexions Pni

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BRT associés

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Conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau de polarisation à résistance externe associé.

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Publié le: 2025-08-29 | Mis à jour le: 2025-09-09