Transistors à résistance de polarisation NPN NSBCMXW

Les transistors à résistance de polarisation (BRT) NSBCMXW d'onsemi  sont conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau de polarisation à résistance externe associé. Ces BRT d'onsemi contiennent un seul transistor avec un réseau de polarisation monolithique composé de deux résistances : une résistance de base en série et une résistance de base-émetteur. Les BRT éliminent les composants individuels en intégrant tout dans un seul dispositif. L'utilisation d'un BRT peut réduire à la fois le coût du système et l'espace occupé par la carte. Les composants NSBCMXW sont logés dans un boîtier XDFNW3 offrant des performances thermiques supérieures. Ces transistors sont idéaux pour les applications montées en surface où l'espace sur la carte et la fiabilité sont précieux.