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onsemi Transistor MSD1819A-R à usage général et faible VCE

Le transistor à usage général et à faible VCE MSD1819A-R onsemi est conçu pour les applications d’amplificateur. Ce transistor NPN dispose d’un gain de courant élevé (HFE) de 210 à 460 et d’une faible VCE < 0,5 V. Le transistor NPN est fourni en boîtier SC-70/SOT-323, conçu pour les applications à montage en surface à faible puissance. Le transistor planaire épitaxial en silicium est certifié AEC-Q101 et compatible PHPP. CE transistor à faible VCE est sans plomb et sans halogènes/BFR. Les applications typiques incluent la protection contre l'inversion de la batterie, le pilote de sortie de convertisseur CC-CC et la commutation à haute vitesse.

Caractéristiques

  • Niveau de sensibilité à l’humidité : 1 (MSL 1)
  • Protection DES :
    • Modèle du corps humain > 4 000 V
    • Modèle machine > 400 V
  • Qualifié AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Sans plomb et sans halogène/BFR
  • Conforme à la directive RoHS

Caractéristiques techniques

  • hFE élevé, 210 à 460
  • Faible VCE (sat) < 0,5 V
  • Tension collecteur-base et collecteur-émetteur 60 VCC
  • Tension émetteur-base : 7 V
  • Dissipation de puissance 150 mW
  • Courant collecteur :
    • 100 mACC - continu
    • 200 mACC - crête
  • Température de jonction de +150 °C

Applications

  • Protection d'inversion de la batterie
  • Pilote de sortie de convertisseur CC-CC
  • Commutation rapide

Schéma des dimensions

Plan mécanique - onsemi Transistor MSD1819A-R à usage général et faible VCE
Publié le: 2023-12-14 | Mis à jour le: 2024-01-30