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NSVMSD1819A-RT1G

Name: onsemi NSVMSD1819A-RT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMSD1819A-RT1G
Price: 0.23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NSVMSD1819A-RT1G

N° de fab. :

NSVMSD1819A-RT1G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 50V

Fiche technique:

NSVMSD1819A-RT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,232 €	0,23 €
	0,202 €	2,02 €
	0,152 €	15,20 €
	0,094 €	47,00 €
	0,073 €	73,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,043 €	129,00 €
	0,038 €	228,00 €
	0,032 €	288,00 €
	0,027 €	648,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-70-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	200 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	60 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	60 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	7 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	500 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	150 mW
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	MSD1819A-R
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	100 mA
Gain de courant CC hFE max.:	340
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NSVMSD1819A-RT1G Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Transistor MSD1819A-R à usage général et faible VCE

Le transistor à usage général et à faible V_CE MSD1819A-R onsemi est conçu pour les applications d’amplificateur. Ce transistor NPN dispose d’un gain de courant élevé (H_FE) de 210 à 460 et d’une faible V_CE < 0,5 V. Le transistor NPN est fourni en boîtier SC-70/SOT-323, conçu pour les applications à montage en surface à faible puissance. Le transistor planaire épitaxial en silicium est certifié AEC-Q101 et compatible PHPP. CE transistor à faible V_CE est sans plomb et sans halogènes/BFR. Les applications typiques incluent la protection contre l'inversion de la batterie, le pilote de sortie de convertisseur CC-CC et la commutation à haute vitesse.