Retour à onsemi

onsemi MOSFET à canal N SiC M2 NVT201xN0

Les MOSFET à canal N SiC M2 NVT201xN0 d’Onsemi offrent une exploitation de tension plus élevée, des plages de température plus larges et des fréquences de commutation accrues par rapport à la technologie Si existante. Ces MOSFET offrent une capacité de sortie efficace réduite et une charge de grille ultra-faible, ce qui entraîne des pertes de commutation réduites et des capacités de retard de commutation accrues. Les MOSFETs à canal N SiC M2 NVT201xN0 d’onsemi sont testés UIS à 100 % et sont homologués AEC-Q101.

Caractéristiques

  • Faible capacité de sortie effective
  • Charge de grille ultra-faible
  • Testé 100 % UIS
  • Qualifié selon AEC-Q101
  • Sans halogène et conforme à la directive RoHS avec exemption 7a, sans Pb 2LI (sur l’interconnexion de deuxième niveau)

Applications

  • Chargeurs embarqués et non embarqués pour l’automobile
  • Convertisseurs CC-CC automobiles pour véhicules électriques et hybrides
  • SMPS, convertisseurs solaires, ASI, stockage d’énergie, infrastructures de chargement pour véhicules électriques

Caractéristiques techniques

  • Résistance drain-source [RDS(on)]
    • NVT2012N065M2 : 18 mΩ (typ.) pour VGS = 18 V
    • NVT2016N090M2 : 23 mΩ (typ.) pour VGS = 18 V
  • Tension drain-source (VDSS)
    • NVT2012N065M2 : 650 V
    • NVT2016N090M2 : 900 V
  • Courant de drain continu (ID) (TC = +25 °C)
    • NVT2012N065M2 : 180 A
    • NVT2016N090M2 : 148 A
  • Dissipation d’énergie (PD) (TC = 25 °C)
    • NVT2012N065M2 : 375 W
    • NVT2016N090M2 : 789 W
  • Courant de drain pulsé (IDM) (TC = +25 °C, tp = 100 µs)
    • NVT2012N065M2 : 482 A
    • NVT2016N090M2 : 424 A
  • Capacité d’entrée (CISS)
    • NVT2012N065M2 : 5389 pF (VDS = 325 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    • NVT2016N090M2 : 5340 pF (VDS = 450 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
  • Capacité de sortie (COSS)
    • NVT2012N065M2 : 431 pF (VDS = 325 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    • NVT2016N090M2 : 310 pF (VDS = 450 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
  • Charge de grille totale [QG(TOT)]
    •  : 256 nC (VDS = 400 V, ID = 40 A, VGS = -5 V/+18 V)
    • NVT2016N090M2 : 250 nC (VDS = 425 V, ID = 60 A, VGS = -5 V/+18 V)

Ressources supplémentaires

Schémas de circuit et de marquage

Schéma - onsemi MOSFET à canal N SiC M2 NVT201xN0
Publié le: 2025-11-12 | Mis à jour le: 2025-11-23