MOSFET à canal N SiC M2 NVT201xN0

Les MOSFET à canal N SiC M2 NVT201xN0 d’Onsemi offrent une exploitation de tension plus élevée, des plages de température plus larges et des fréquences de commutation accrues par rapport à la technologie Si existante. Ces MOSFET offrent une capacité de sortie efficace réduite et une charge de grille ultra-faible, ce qui entraîne des pertes de commutation réduites et des capacités de retard de commutation accrues. Les MOSFETs à canal N SiC M2 NVT201xN0 d’onsemi sont testés UIS à 100 % et sont homologués AEC-Q101.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
onsemi SiC MOSFET T2PAK SIC 650V M2
Fiche technique
560En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 148 A 23 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 250 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET T2PAK SIC 650V M2
Fiche technique
80020/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT T2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 180 A 18 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 256 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement