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onsemi IGBT à canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T d'onsemi disposent d’une construction robuste et économique à arrêt de champ en tranchée VII. L'AFGHxL25T onsemi offre des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes. La faible tension à l’état passant et la perte de commutation minimale offrent des performances de topologie de commutation dure et douce optimales dans les applications automobiles.

Caractéristiques

  • Tranchée extrêmement efficace grâce à la technologie d'arrêt de champ
  • Température de jonction maximale (TJ) de 175 °C
  • Court-circuit nominal et faible tension de saturation
  • Commutation rapide et distribution de paramètres étroite
  • Homologué AEC-Q101, PPAP disponible sur demande
  • Ces dispositifs sont sans Pb, sans halogène/sans BFR, et sont conformes à la directive RoHS.

Applications

  • Chauffage PTC HEV-EV
  • Compresseur électronique Véhicule électrique hybride
  • OBC

Connexions des broches

Schéma - onsemi IGBT à canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T
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Numéro de pièce Fiche technique Package/Boîte Tension de saturation collecteur-émetteur Pd - Dissipation d’énergie
AFGH4L25T120RW AFGH4L25T120RW Fiche technique TO-247-4 1.37 V 416 W
AFGH4L25T120RWD AFGH4L25T120RWD Fiche technique TO-247-4 1.37 V 416 W
AFGHL25T120RW AFGHL25T120RW Fiche technique TO-247-3 1.38 V 468 W
AFGHL25T120RWD AFGHL25T120RWD Fiche technique TO-247-3 1.38 V 468 W
Publié le: 2024-07-22 | Mis à jour le: 2024-08-02