IGBT à canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et canal N unique 1 200 V 25 A AFGHxL25T d'onsemi disposent d’une construction robuste et économique à arrêt de champ en tranchée VII. L'AFGHxL25T onsemi offre des performances supérieures dans les applications de commutation exigeantes. La faible tension à l’état passant et la perte de commutation minimale offrent des performances de topologie de commutation dure et douce optimales dans les applications automobiles.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L
Fiche technique
444En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RW Tube
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L
Fiche technique
445En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RWD Tube
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 3L
Fiche technique
418En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.38 V 20 V 50 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL25T120RW Tube
onsemi IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 3L
Fiche technique
278En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.38 V 20 V 50 A 468 W - 55 C + 175 C AFGHL25T120RWD Tube