onsemi IGBT AFGHL50T65RQDN 650V 50A
L’IGBT AFGHL50T65RQDN 650V 50A Onsemi est un IGBT à arrêt de champ de 4e génération qui utilise une technologie innovante. Le AFGHL50T65RQDN Onsemi fournit des performances optimales pour les onduleurs solaires, les ASI, les soudures, les télécommunications, les ESS et les applications PFC. Le dispositif garantit un minimum de pertes de conduction et de commutation.
Caractéristiques
- TJ = 175 °C, température de jonction maximale
- Coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle facile
- Capacité de courant fort
- Faible tension de saturation VCE(Sat) = 1,6 V (std) à IC = 50 A
- 100 % des pièces testées pour ILM
- Impédance d’entrée élevée
- Commutation rapide
- Distribution de paramètres étroite
- Ce composant est sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- Onduleur solaire
- ASI
- Appareil de soudage
- Télécommunications
- ESS
- PFC
Circuit d'application
Publié le: 2023-12-12
| Mis à jour le: 2024-03-01