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AFGHL50T65RQDN

Name: onsemi AFGHL50T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65RQDN
Price: 5.82 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-AFGHL50T65RQDN

N° de fab. :

AFGHL50T65RQDN

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs 650V/50A FS4 SCR IGBT T0247-3L AUTOMOTIVE

Fiche technique:

AFGHL50T65RQDN Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,82 €	5,82 €
	3,35 €	33,50 €
	2,85 €	342,00 €
	2,71 €	1.382,10 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	78 A
Pd - Dissipation d’énergie :	346 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	AFGHL50T65RQDN
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs

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Fiche technique

AFGHL50T65RQDN Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

IGBT FS4

Les IGBT FS4 d'onsemi constituent une solution puissante et efficace pour une multitude d'applications industrielles et automobiles. La température de jonction maximale du FS4 d'onsemi est de 175 °C. Ces IGBT sont conçus pour résister même aux conditions de fonctionnement les plus extrêmes.

IGBT AFGHL50T65RQDN 650V 50A

L’IGBT AFGHL50T65RQDN 650V 50A Onsemi est un IGBT à arrêt de champ de 4e génération qui utilise une technologie innovante. Le AFGHL50T65RQDN Onsemi fournit des performances optimales pour les onduleurs solaires, les ASI, les soudures, les télécommunications, les ESS et les applications PFC. Le dispositif garantit un minimum de pertes de conduction et de commutation.