Nexperia Transistors doubles PNP/PNP NHUMB1
Les transistors doubles PNP/PNP NHUMB1 de Nexperia sont conçus pour simplifier la conception de circuit et disposent d'une tension de claquage élevée, de résistances intégrées, d'un nombre réduit de composants et de coûts de bras / transfert réduits. Ces transistors fonctionnent à une tension collecteur-émetteur (VCEO) de 80 V, un courant de sortie (IO) de 100 mA et une plage de température ambiante (Tamb)de -55 °C à 150 °C. Les applications standard comprennent les applications numériques, les alternatives économiques pour la série BC856, le contrôle des entrées CI et les charges de commutation.
Caractéristiques
- Tension de claquage élevée
- Résistances intégrées
- Simplifie la conception des circuits
- Réduit le nombre de composants
- Réduit les coûts de bras transfert
- Boîtier CMS SOT363
- Homologué AEC-Q101
Caractéristiques techniques
- Tension collecteur-émetteur (VCEO) : -80 V
- Courant de sortie (IO) : -100 mA
- Dissipation de puissance totale (Ptot) : 235 mW, par transistor
- Plage de température de fonctionnement ambiante (Tamb) : de -55 °C à +150 °C
- Plage de température de stockage (Tstg) : de -65 °C à 150 °C
Applications
- Applications numériques
- Alternative économique pour la série BC856 dans les applications numériques
- Contrôle des entrées CI
- Charges de commutation
Courbe des caractéristiques
Profil de boîtier
Produit associé
Nexperia Transistors équipés de résistances (RET)
Solutions économiques et peu encombrantes qui réduisent le nombre de composants et simplifient la conception des circuits.
Publié le: 2022-01-19
| Mis à jour le: 2022-03-11