Transistors doubles PNP/PNP NHUMB1

Les transistors doubles PNP/PNP NHUMB1 de Nexperia sont conçus pour simplifier la conception de circuit et disposent d'une tension de claquage élevée, de résistances intégrées, d'un nombre réduit de composants et de coûts de bras / transfert réduits. Ces transistors fonctionnent à une tension collecteur-émetteur (VCEO) de 80 V, un courant de sortie (IO) de 100 mA et une plage de température ambiante (Tamb)de -55 °C à 150 °C. Les applications standard comprennent les applications numériques, les alternatives économiques pour la série BC856, le contrôle des entrées CI et les charges de commutation.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Collecteur - Tension de base VCBO Émetteur - Tension de base VEBO Tension de saturation collecteur-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Produit gain-bande passante fT Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
Nexperia Transistors bipolaires - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 10.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistors bipolaires - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-8009-3 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel