Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ
Le MOSFET BUK6Q26-40PJ de Nexperia est un FET à mode amélioration à canal P pour l'automobile dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée. Ce MOSFET offre une compatibilité au niveau logique et des flancs mouillables latéralement pour une inspection optique de la brasure. Le MOSFET BUK6Q26-40PJ fonctionne en mode négatif lors de l'exploitation normale, avec une tension drain-source (VDS). Ce MOSFET est hébergé dans un boîtier à rendement thermique efficace, avec un petit facteur de forme (empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm). Le MOSFET BUK6Q26-40PJ est homologué AEC-Q101 et convient aux applications automobiles. Ce MOSFET est idéal pour la protection contre la polarité inverse, les pilotes de ligne haute vitesse, les commutateurs de charge haute tension et les pilotes de relais.
Caractéristiques
- Compatibilité au niveau logique
- Technologie MOSFET à tranchée
- Flancs mouillables latéralement pour une inspection optique de la brasure
- Tension de source de drain de -40 V (VDS) à 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C
- Courant source (Is) de -34 A à Tmb= 25 °C
- Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 175 °C
- Dissipation d'énergie totale standard de 56 W à Tmb= 25 °C
- Boîtier thermiquement optimisé dans un petit facteur de forme (empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm)
- Qualification AEC-Q101
Applications
- Protection contre la polarité inverse
- Pilotes de ligne haut débit
- Commutateurs de charge haute tension
- Pilotes de relais
Dimensions
MOSFET à canal P
Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ
FET à canal P 30 V dans un boîtier CMS en plastique MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.
Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ
FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.
Publié le: 2025-07-24
| Mis à jour le: 2025-08-19