Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

Le MOSFET BUK6Q12-40PJ de Nexperia est un FET à canal P automobile 40 V dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée. Ce MOSFET est compatible au niveau logique et dispose de flancs mouillables latéralement pour une inspection optique de la brasure. Le MOSFET BUK6Q12-40PJ fonctionne en mode négatif lors de l'exploitation normale, avec une tension drain-source (VDS). Le courant circule lorsqu'une tension négative est appliquée à la grille par rapport à la source (VGS). La tension maximum qui peut être appliquée en toute sécurité entre les bornes de drain et de source est de 40 V. Ce MOSFET est hébergé dans un boîtier à rendement thermique efficace, avec un petit facteur de forme (empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm). Le MOSFET BUK6Q12-40PJ est conforme à la norme AEC-Q101. Ce MOSFET est idéal pour la protection contre la polarité inverse, les pilotes de ligne haut débit, les commutateurs de charge haute tension et les pilotes de relais.

Caractéristiques

  • Compatibilité au niveau logique
  • Technologie MOSFET à tranchée
  • Flancs mouillables latéralement pour une inspection optique de la brasure
  • Tension de source de drain de -40 V (VDS) à 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C
  • Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 175 °C
  • Dissipation d'énergie totale standard de 94 W à Tmb= 25 °C
  • Boîtier thermiquement optimisé dans un petit facteur de forme (empreinte de 3,3 mm x 3,3 mm)
  • Qualification AEC-Q101

Applications

  • Protection contre la polarité inverse
  • Pilotes de ligne haut débit
  • Commutateurs de charge haute tension
  • Pilotes de relais

Dimensions

Plan mécanique - Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ
Publié le: 2025-07-24 | Mis à jour le: 2025-08-19